VS-GP300TD60S - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-GP300TD60S
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	PT, Trench
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	580A
Puissance - Max	1136W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.45V @ 15V, 300A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	150µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	-
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Dual INT-A-PAK (3 + 8)
Package de périphérique fournisseur	Dual INT-A-PAK
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-GP100TS60SFPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT	Détails
VS-GP250SA60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 380A 893W SOT-227	Détails
VS-GP300TD60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT	Détails
VS-GP400TD60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT	Détails