VS-CPV363M4UPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-CPV363M4UPBF
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	-
Configuration	-
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	13A
Puissance - Max	36W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 6.8A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	1.1nF @ 30V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	19-SIP (13 Leads), IMS-2
Package de périphérique fournisseur	IMS-2
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-CPH3006L-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE STANDARD 600V 15A TO247	Détails
VS-CPH6006L-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE STANDARD 600V 15A TO247	Détails
VS-CPU3006L-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE STANDARD 600V 15A TO247	Détails
VS-CPU6006-N3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE STANDARD 600V 30A TO247AC	Détails
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VS-CPV362M4FPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2	Détails
VS-CPV362M4KPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP	Détails
VS-CPV362M4UPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP	Détails