VS-150MT060WDF-P - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-150MT060WDF-P
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	-
Configuration	Dual Buck Chopper
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	138A
Puissance - Max	543W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.48V @ 15V, 80A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	14nF @ 30V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	12-MTP Module
Package de périphérique fournisseur	12-MTP Pressfit
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-150EBU02	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN 200V 150A POWIRTAB	Détails
VS-150EBU02HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GP 200V 150A POWERTAB	Détails
VS-150EBU04	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN 400V 150A POWIRTAB	Détails
VS-150EBU04HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GP 400V 150A POWERTAB	Détails
VS-150K10A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 150A DO205AA	Détails
VS-150K20A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA	Détails
VS-150K30A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 300V 150A DO205AA	Détails
VS-150K40A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA	Détails
VS-150K40AM	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA	Détails
VS-150K60A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA	Détails