| Numéro d'article | VB60100C-M3/4W |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Configuration de diode | 1 Pair Common Cathode |
| Type de diode | Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) | 30A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 790mV @ 30A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
| Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Package de périphérique fournisseur | TO-263AB |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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VB60100C | VISHAY | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A | Détails |
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VB60100C-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 | Détails |
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VB60100C-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 | Détails |
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VB60100C-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 60A 100V TO-263AB | Détails |
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VB60100C-M3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 60A 100V TO-263AB | Détails |
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VB60100CHE3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 | Détails |
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VB60100CHE3/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 | Détails |
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VB60100CHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 | Détails |
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VB60120C-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 60A 120V TO-263AB | Détails |
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VB60120C-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 60A 120V TO-263AB | Détails |
