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Numéro d'article |
Les fabricants | La description |
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VB30100C |
VISHAY | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A |
Détails |
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VB30100C-E3/4W |
Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 |
Détails |
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VB30100C-E3/8W |
Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 |
Détails |
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VB30100C-M3/4W |
Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB |
Détails |
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VB30100C-M3/8W |
Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB |
Détails |
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VB30100CHM3/I |
Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 |
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VB30100S |
VISHAY | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A |
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VB30100S-E3/4W |
Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AB |
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VB30100S-E3/8W |
Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AB |
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VB30100S-M3/4W |
Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB |
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