V10P6HM3_A/I - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	V10P6HM3_A/I
État de la pièce	Active
Type de diode	Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	60V
Courant - Rectifié moyen (Io)	10A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	590mV @ 10A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	1.9mA @ 60V
Capacitance @ Vr, F	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-277, 3-PowerDFN
Package de périphérique fournisseur	TO-277A (SMPC)
Température de fonctionnement - Jonction	-40°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
V10P10	VISHAY	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	Détails
V10P10-E3/86A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	Détails
V10P10-E3/87A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	Détails
V10P10-M3/86A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	Détails
V10P10-M3/87A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	Détails
V10P10HE3/86A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	Détails
V10P10HE3/87A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	Détails
V10P10HM3/86A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	Détails
V10P10HM3/87A	VISHAY	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	Détails
V10P10HM3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A	Détails