SUP85N03-3M6P-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SUP85N03-3M6P-GE3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	85A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3535pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.1W (Ta), 78.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 22A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220AB
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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