SUP60N10-18P-E3

SUP60N10-18P-E3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SUP60N10-18P-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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4447 pcs
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SUP60N10-18P-E3 Description détaillée

Numéro d'article SUP60N10-18P-E3
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.3 mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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