SUD50N03-11-E3

SUD50N03-11-E3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SUD50N03-11-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 30V 50A TO252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SUD50N03-11-E3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4148 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour SUD50N03-11-E3

SUD50N03-11-E3 Description détaillée

Numéro d'article SUD50N03-11-E3
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 7.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-252, (D-Pak)
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR SUD50N03-11-E3