SUD19P06-60L-E3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SUD19P06-60L-E3
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1710pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.7W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252, (D-Pak)
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SUD19N20-90	VISHAY	SUD19N20-90 VISHAY DPAK(T.. New Original Stocks	Détails
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