SQS462EN-T1_GE3

SQS462EN-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SQS462EN-T1_GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
64730 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.4158/pcs
Notre prix
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SQS462EN-T1_GE3 Description détaillée

Numéro d'article SQS462EN-T1_GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63 mOhm @ 4.3A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas PowerPAK® 1212-8
Poids -
Pays d'origine -

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