SQR50N04-3M8_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SQR50N04-3M8_GE3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6700pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	D-PAK (TO-252)
Paquet / cas	TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	SQR50N03-06P-GE3	VIS	SQR50N03-06P-GE3 VIS TO-252 New Original Stocks	Détails
	SQR50N04-3M8_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHANNEL 40V 50A DPAK	Détails