SQP120N06-3M5L_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SQP120N06-3M5L_GE3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	330nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14700pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	250W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220AB
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SQP120N06-06_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 119A TO220AB	Détails
SQP120N06-3M5L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB	Détails
SQP120N06-6M7_GE3	Vishay Siliconix	N-CHANNEL 60-V D-S 175C MOSFET	Détails
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SQP120P06-6M7L_GE3	Vishay Siliconix	P-CHANNEL 60-V D-S 175C MOSFET	Détails