SQJQ910EL-T1_GE3

SQJQ910EL-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SQJQ910EL-T1_GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SQJQ910EL-T1_GE3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
104927 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.56915/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour SQJQ910EL-T1_GE3

SQJQ910EL-T1_GE3 Description détaillée

Numéro d'article SQJQ910EL-T1_GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2832pF @ 50V
Puissance - Max 187W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas PowerPAK® 8 x 8 Dual
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 8 x 8 Dual
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR SQJQ910EL-T1_GE3