SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SQJB80EP-T1_GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
52913 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.4805/pcs
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SQJB80EP-T1_GE3 Description détaillée

Numéro d'article SQJB80EP-T1_GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Puissance - Max 48W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas PowerPAK® SO-8 Dual
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
Poids -
Pays d'origine -

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