SQJA80EP-T1_GE3

SQJA80EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SQJA80EP-T1_GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
48068 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.5359/pcs
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SQJA80EP-T1_GE3 Description détaillée

Numéro d'article SQJA80EP-T1_GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® SO-8
Paquet / cas PowerPAK® SO-8
Poids -
Pays d'origine -

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