SQJ912AEP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SQJ912AEP-T1_GE3
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1835pF @ 20V
Puissance - Max	48W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	PowerPAK® SO-8 Dual
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® SO-8 Dual
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	SQJ912AEP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8	Détails
	SQJ912BEP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L	Détails