SQJ844AEP-T1_GE3

SQJ844AEP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SQJ844AEP-T1_GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SQJ844AEP-T1_GE3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
58540 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.4435/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour SQJ844AEP-T1_GE3

SQJ844AEP-T1_GE3 Description détaillée

Numéro d'article SQJ844AEP-T1_GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.6 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1161pF @ 15V
Puissance - Max 48W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas PowerPAK® SO-8 Dual
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR SQJ844AEP-T1_GE3