SQJ418EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SQJ418EP-T1_GE3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	48A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® SO-8
Paquet / cas	PowerPAK® SO-8
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SQJ410EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8	Détails
SQJ411EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 60A SO8	Détails
SQJ412EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8	Détails
SQJ414EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL	Détails
SQJ415EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L	Détails
SQJ416EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 27A SO8	Détails
SQJ418EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 48A SO8	Détails