SQ1420EEH-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SQ1420EEH-T1-GE3
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1.6A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	215pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 1.2A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SC-70-6 (SOT-363)
Paquet / cas	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Poids	-
Pays d'origine	-