SIZ700DT-T1-GE3

SIZ700DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SIZ700DT-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
39765 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.6622/pcs
Notre prix
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SIZ700DT-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SIZ700DT-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V
Puissance - Max 2.36W, 2.8W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-PowerPair™
Package de périphérique fournisseur 6-PowerPair™
Poids -
Pays d'origine -

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