SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SIS447DN-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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411605 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.40002/pcs
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SIS447DN-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SIS447DN-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 181nC @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5590pF @ 10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 52W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas PowerPAK® 1212-8
Poids -
Pays d'origine -

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