SIRB40DP-T1-GE3 Description détaillée
Numéro d'article |
SIRB40DP-T1-GE3 |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
2 N-Channel (Dual) |
FET Caractéristique |
Standard |
Drain à la tension de source (Vdss) |
40V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
40A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
3.25 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.4V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
45nC @ 4.5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
4290pF @ 20V |
Puissance - Max |
46.2W |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Paquet / cas |
PowerPAK® SO-8 Dual |
Package de périphérique fournisseur |
PowerPAK® SO-8 Dual |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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