SIRA60DP-T1-RE3

SIRA60DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SIRA60DP-T1-RE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
246127 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.66896/pcs
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SIRA60DP-T1-RE3 Description détaillée

Numéro d'article SIRA60DP-T1-RE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.94 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V
Vgs (Max) +20V, -16V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7650pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 57W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® SO-8
Paquet / cas PowerPAK® SO-8
Poids -
Pays d'origine -

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