SIR330DP-T1-GE3

SIR330DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SIR330DP-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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SIR330DP-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SIR330DP-T1-GE3
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® SO-8
Paquet / cas PowerPAK® SO-8
Poids -
Pays d'origine -

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