SIR164DP-T1-RE3 Description détaillée
Numéro d'article |
SIR164DP-T1-RE3 |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
N-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
30V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
50A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
2.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
123nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
3950pF @ 15V |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
69W (Tc) |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur |
PowerPAK® SO-8 |
Paquet / cas |
PowerPAK® SO-8 |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
PRODUITS CONNEXES POUR SIR164DP-T1-RE3