SIHP21N80AE-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SIHP21N80AE-GE3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	17.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	235 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1388pF @ 100V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	32W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220AB
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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