SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SIHF30N60E-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2500 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.388/pcs
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SIHF30N60E-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SIHF30N60E-GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 29A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220 Full Pack
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
Poids -
Pays d'origine -

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