SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SIB437EDKT-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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128377 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.208/pcs
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SIB437EDKT-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SIB437EDKT-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 8V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±5V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 3A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® TSC75-6
Paquet / cas PowerPAK® TSC-75-6
Poids -
Pays d'origine -

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