SIA923AEDJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SIA923AEDJ-T1-GE3
État de la pièce	Active
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	770pF @ 10V
Puissance - Max	7.8W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SIA923AEDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L	Détails
SIA923EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6	Détails
SIA923EDJ-T4-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V SC-70-6	Détails