SIA910EDJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SIA910EDJ-T1-GE3
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 6V
Puissance - Max	7.8W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Poids	-
Pays d'origine	-