SIA465EDJ-T1-GE3 Description détaillée
Numéro d'article |
SIA465EDJ-T1-GE3 |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
P-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
12A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
16.5 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.2V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
72nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±12V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
2130pF @ 10V |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
19W (Tc) |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur |
PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paquet / cas |
PowerPAK® SC-70-6 |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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