SI8816EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SI8816EDB-T2-E1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	-
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	195pF @ 15V
Vgs (Max)	±12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	109 mOhm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	4-Microfoot
Paquet / cas	4-XFBGA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SI8810EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT	Détails
SI8812DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V MICROFOOT	Détails
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