SI8472DB-T2-E1 Description détaillée
Numéro d'article |
SI8472DB-T2-E1 |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
N-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
- |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
1.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
900mV @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
18nC @ 8V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
630pF @ 10V |
Vgs (Max) |
±8V |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
44 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur |
4-Micro Foot (1x1) |
Paquet / cas |
4-UFBGA |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
PRODUITS CONNEXES POUR SI8472DB-T2-E1