SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI7900AEDN-T1-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
67500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.7546/pcs
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SI7900AEDN-T1-E3 Description détaillée

Numéro d'article SI7900AEDN-T1-E3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.5W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas PowerPAK® 1212-8 Dual
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
Poids -
Pays d'origine -

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