SI7802DN-T1-E3

SI7802DN-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI7802DN-T1-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
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3874 pcs
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SI7802DN-T1-E3 Description détaillée

Numéro d'article SI7802DN-T1-E3
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.24A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 435 mOhm @ 1.95A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas PowerPAK® 1212-8
Poids -
Pays d'origine -

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