Numéro d'article | SI7489DP-T1-GE3 |
---|---|
État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 5.2W (Ta), 83W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 7.8A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
Paquet / cas | PowerPAK® SO-8 |
Poids | - |
Pays d'origine | - |