| Numéro d'article | SI5935CDC-T1-E3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 10V |
| Puissance - Max | 3.1W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SMD, Flat Lead |
| Package de périphérique fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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SI5933CDC | VISHAY | Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Détails |
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