SI5913DC-T1-E3 Description détaillée
| Numéro d'article |
SI5913DC-T1-E3 |
| État de la pièce |
Active |
| FET Type |
P-Channel |
| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
4A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
12nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
330pF @ 10V |
| Vgs (Max) |
±12V |
| FET Caractéristique |
Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipation de puissance (Max) |
1.7W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
84 mOhm @ 3.7A, 10V |
| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur |
1206-8 ChipFET™ |
| Paquet / cas |
8-SMD, Flat Lead |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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