Numéro d'article | SI4880DY-T1-GE3 |
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État de la pièce | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | - |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (Max) | ±25V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 2.5W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 13A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Poids | - |
Pays d'origine | - |