SI4829DY-T1-E3

SI4829DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI4829DY-T1-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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111772 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2302/pcs
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SI4829DY-T1-E3 Description détaillée

Numéro d'article SI4829DY-T1-E3
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (Max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids -
Pays d'origine -

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