SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI4532CDY-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SI4532CDY-T1-GE3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
18750 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2791/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SI4532CDY-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A, 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 305pF @ 15V
Puissance - Max 2.78W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR SI4532CDY-T1-GE3