SI4500BDY-T1-E3

SI4500BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI4500BDY-T1-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
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SI4500BDY-T1-E3 Description détaillée

Numéro d'article SI4500BDY-T1-E3
État de la pièce Obsolete
FET Type N and P-Channel, Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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