SI4483ADY-T1-GE3 Description détaillée
Numéro d'article |
SI4483ADY-T1-GE3 |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
P-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
30V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
19.2A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.6V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
135nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
3900pF @ 15V |
Vgs (Max) |
±25V |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
2.9W (Ta), 5.9W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
8.8 mOhm @ 10A, 10V |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur |
8-SO |
Paquet / cas |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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