| Numéro d'article | SI4463BDY-T1-E3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 9.8A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 13.7A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4460-B0B-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Détails |
|
SI4460-B1B-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Détails |
|
SI4460-B1B-FMR | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Détails |
|
SI4460-C2A-GM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Détails |
|
SI4460-C2A-GMR | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Détails |
 |
SI4461-868-DK | Silicon Labs | KIT DEV WIRELESS SI4461 868MHZ | Détails |
|
SI4461-B0B-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Détails |
|
SI4461-B1B-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Détails |
|
SI4461-B1B-FMR | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Détails |
|
SI4461-C2A-GM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Détails |
