SI4410BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SI4410BDY-T1-E3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	7.5A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SO
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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