SI4330DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SI4330DY-T1-GE3
État de la pièce	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	1.1W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SO
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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