SI4010DY-T1-GE3

SI4010DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI4010DY-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 30V 31.3A 8SO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SI4010DY-T1-GE3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6250 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.4366/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour SI4010DY-T1-GE3

SI4010DY-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SI4010DY-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 31.3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3595pF @ 15V
Vgs (Max) +20V, -16V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR SI4010DY-T1-GE3