Numéro d'article | SI3447BDV-T1-GE3 |
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État de la pièce | Obsolete |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (Max) | ±8V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 1.1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 6A, 4.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | 6-TSOP |
Paquet / cas | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Poids | - |
Pays d'origine | - |