| Numéro d'article | SI2309DS-T1-E3 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | - |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 1.25A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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